四结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge的设计与模拟
来源期刊：功能材料与器件学报2011年第6期
论文作者：张国芳 唐吉玉 陈俊芳 周福成 林邦惜 廖建军
文章页码：559 - 563
关键词：GaInAsN;太阳能电池;转换效率;
摘 要：随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs（InGaAs）/（新材料）/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料。在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比。结果显示,该结构可以获得较高的转换效率。
张国芳，唐吉玉，陈俊芳，周福成，林邦惜，廖建军
华南师范大学物理与电信工程学院
摘 要：随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs（InGaAs）/（新材料）/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga1-xInxAs1-yNy通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料。在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比。结果显示,该结构可以获得较高的转换效率。
关键词：GaInAsN;太阳能电池;转换效率;
