多晶硅太阳电池双层SiN_x镀膜工艺研究
来源期刊：材料导报2012年第8期
论文作者：周艺 欧衍聪 郭长春 肖斌 何文红
文章页码：14 - 16
关键词：多晶硅太阳电池;PECVD;双层SiNx膜;
摘 要：采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
周艺1，欧衍聪1,2，郭长春1,2，肖斌1,2，何文红1
1. 长沙理工大学化学学院
摘 要：采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。
关键词：多晶硅太阳电池;PECVD;双层SiNx膜;
