杂质原子在面心立方晶体中诱发的成对挛晶

董光明¹，韩正铜²，孙国雄¹，廖恒成¹

(1.东南大学,材料科学与工程学院,江苏,南京,210018;
2.中国矿业大学,机电工程学院,江苏,徐州,221008)

摘要:为研究杂质原子在面心立方晶体内诱发的孪晶,采用刚性球模型进行计算研究.计算结果表明,当杂质元素的原子半径与晶体的原子半径之比约为1.65时,如果杂质原子吸附在面心立方晶体的{111}晶面上时,将可能在该{111}面上的某个[112]晶向上及与该{111}面的该[112]晶向成109.5°的另一个{111}面上的某个[112]方向上同时诱发挛晶,即诱发成对的挛晶,而不是仅仅在原来的{111}晶面上诱发一处孪晶.杂质原子诱发成对孪晶及单孪晶的的可能性各为50%.

关键词:成对的挛晶; 面心立方; 杂质原子; 共晶硅; 变质;

【全文内容正在添加中】