Au/NiCr/Ta多层金属膜退火后的电阻率异常增大
来源期刊：金属学报2003年第2期
论文作者：徐可为 唐武 王平 李弦
关键词：Au/NiCr/Ta; 多层金属膜; 电阻率; 扩散;
摘 要：用磁控溅射方法在A12O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化,Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大.分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.
徐可为1，唐武1，王平2，李弦2
(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049;
2.西安空间无线电技术研究所,西安,710000)
摘要:用磁控溅射方法在A12O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化,Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大.分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.
关键词:Au/NiCr/Ta; 多层金属膜; 电阻率; 扩散;
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