室温辐射探测器用碲锌镉晶体的退火改性研究进展

来源期刊：材料科学与工程学报2021年第2期

论文作者：陈永仁 赵鹏 俞鹏飞 刘文斐 芦晗越 王蕾 高力 郑丹

文章页码：342 - 354

关键词：室温辐射探测器;碲锌镉;缺陷;退火改性;晶体质量;

摘    要：碲锌镉（CdZnTe）作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnTe晶体中不可避免地会引入Cd空位、沉淀/夹杂相、杂质和位错等缺陷,严重影响了所制备器件的质量和光电性能。因此,需对生长态晶体进行退火改性处理以提高晶体的质量。本文分析了CdZnTe材料中存在的主要缺陷,重点综述了退火改性工艺如退火温度、退火时间、退火气氛以及退火方式对CdZnTe晶体质量及探测器性能的影响。