掺锰PMW-PT陶瓷的制备及其介电性能研究
来源期刊：材料科学与工程学报2005年第1期
论文作者：崔斌 李恒欣 高秀华 史启祯 梁山
关键词：半化学法; 钨镁酸铅; 掺锰; 介电常数;
摘 要：采用半化学法制备了掺锰的0.5Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.5PbTiO3(PMW-PT)陶瓷.掺锰PMW-PT反应前驱体是以醋酸镁和硝酸锰分别代替传统化物法中的MgO和MnO2制得的.通过XRD和SEM对掺锰PMW-PT陶瓷样品进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能.主要讨论了烧结温度和掺锰对PMW-PT陶瓷介电性能的影响.研究结果表明:半化学法能够制得掺锰均匀且为纯钙钛矿相的PMW-PT陶瓷,掺锰抑制陶瓷的晶粒长大,从而提高了PMW-PT陶瓷的烧结温度;掺锰明显降低了陶瓷的介电损耗,同时提高了陶瓷的介电常数,但随掺锰量的增加,陶瓷的介电常数减小.PMW-PT陶瓷的合适掺锰量为0.25mol%,烧结条件为1050℃/2h,最大介电常数为9230,介电损耗低于0.04.
崔斌1，李恒欣1，高秀华1，史启祯1，梁山1
(1.西北大学化学系/陕西省物理无机化学重点实验室,陕西,西安,710069)
摘要:采用半化学法制备了掺锰的0.5Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.5PbTiO3(PMW-PT)陶瓷.掺锰PMW-PT反应前驱体是以醋酸镁和硝酸锰分别代替传统化物法中的MgO和MnO2制得的.通过XRD和SEM对掺锰PMW-PT陶瓷样品进行了表征,并测试了陶瓷的介电性能.主要讨论了烧结温度和掺锰对PMW-PT陶瓷介电性能的影响.研究结果表明:半化学法能够制得掺锰均匀且为纯钙钛矿相的PMW-PT陶瓷,掺锰抑制陶瓷的晶粒长大,从而提高了PMW-PT陶瓷的烧结温度;掺锰明显降低了陶瓷的介电损耗,同时提高了陶瓷的介电常数,但随掺锰量的增加,陶瓷的介电常数减小.PMW-PT陶瓷的合适掺锰量为0.25mol%,烧结条件为1050℃/2h,最大介电常数为9230,介电损耗低于0.04.
关键词:半化学法; 钨镁酸铅; 掺锰; 介电常数;
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