退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究

来源期刊：中国非金属矿工业导刊2014年第6期

论文作者：吴炳南 高立华 高松华

文章页码：15 - 17

关键词：ZnO薄膜;P型;退火处理;光电性能;

摘    要：ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料,因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注,ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键。本文利用射频磁控溅射法通过N-Al共掺技术,在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜。探讨了不同退火气氛和不同退火温度对薄膜样品光电性能的影响,研究结果表明:当氮氧比为9∶1、溅射功率为140W、在400℃真空条件下退火时成功制备出性能优越的P型ZnO薄膜,其电阻率为152Ω·cm,薄膜可见光透射率达到90%以上。