ZnO基半导体的研究进展——点缺陷、掺杂及接触
来源期刊：材料导报2008年第10期
论文作者：李晨辉 孙宜华 熊惟皓
关键词：ZnO; 点缺陷; 掺杂; 接触;
摘 要：ZnO以其优异的特性正在世界范围内再次掀起新的研究热潮.简要综述了近年来在ZnO点缺陷、掺杂、接触等方面的研究进展.目前,ZnO施主缺陷得到进一步研究和鉴别,P型转变已经初步实现,ZnO与金属的接触也得到了研究和改进,但仍存在许多极富挑战性的课题,有待于从掺杂机理、缺陷化学、材料设计及其制备技术等方面进一步地创新与研究.
李晨辉1，孙宜华1，熊惟皓1
(1.华中科技大学材料成形与模具技术国家重点实验室,武汉,430074)
摘要:ZnO以其优异的特性正在世界范围内再次掀起新的研究热潮.简要综述了近年来在ZnO点缺陷、掺杂、接触等方面的研究进展.目前,ZnO施主缺陷得到进一步研究和鉴别,P型转变已经初步实现,ZnO与金属的接触也得到了研究和改进,但仍存在许多极富挑战性的课题,有待于从掺杂机理、缺陷化学、材料设计及其制备技术等方面进一步地创新与研究.
关键词:ZnO; 点缺陷; 掺杂; 接触;
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