Cr掺杂AlN半导体电磁性质的第一性原理研究
来源期刊：材料导报2009年增刊第1期
论文作者：樊玉勤 王连轩 王新强 胡凯燕
关键词：AlN; 电磁性质; 能带结构; 态密度; AlN; electromagnetic properties; band structure; density of states;
摘 要：基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下分别计算了无掺杂和掺杂过渡金属Cr原子的AlN半导体的电磁性质,结果表明,掺杂后AlN由半导体转变为半金属,并具有较宽的半金属能隙.当掺杂浓度为25%、12.5%、5.6%时,半金属能隙分别为0.8eV、1.1eV、1.2eV.以掺杂浓度为12.5%的Cr-AlN(2×2×1)为例,详细分析了其能带结构、态密度分布和电子布居数以及磁矩等.
樊玉勤1，王连轩1，王新强1，胡凯燕1
(1.重庆大学数理学院物理系,重庆,400030)
摘要:基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下分别计算了无掺杂和掺杂过渡金属Cr原子的AlN半导体的电磁性质,结果表明,掺杂后AlN由半导体转变为半金属,并具有较宽的半金属能隙.当掺杂浓度为25%、12.5%、5.6%时,半金属能隙分别为0.8eV、1.1eV、1.2eV.以掺杂浓度为12.5%的Cr-AlN(2×2×1)为例,详细分析了其能带结构、态密度分布和电子布居数以及磁矩等.
关键词:AlN; 电磁性质; 能带结构; 态密度; AlN; electromagnetic properties; band structure; density of states;
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