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热退火对KDP晶体微结构的影响

来源期刊：功能材料2003年第3期

论文作者：孙洵胡小波王圣来曾红付有君高樟寿李义平李丽霞

关键词：热退火; KDP晶体; 双晶X射线衍射; Raman光谱;

摘要：用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.

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孙洵¹，胡小波¹，王圣来¹，曾红¹，付有君¹，高樟寿¹，李义平¹，李丽霞²

(1.山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100;
2.山东大学环境科学与工程学院,山东,济南,250100)

摘要:用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.

关键词:热退火; KDP晶体; 双晶X射线衍射; Raman光谱;

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