种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响
来源期刊：功能材料2004年第6期
论文作者：刘俊 郑瑞伦 代波 段昌奎
关键词：新种子层; 零场电阻率; AMR;
摘 要：制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.
刘俊1，郑瑞伦2，代波3，段昌奎1
(1.重庆邮电学院,光电工程学院信息电子学研究所,重庆,400065;
2.西南师范大学,物理系,重庆,400715;
3.中国科学院物理所国家磁性重点实验室,北京,100080)
摘要:制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.
关键词:新种子层; 零场电阻率; AMR;
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