C离子注入对SiO2薄膜光致发光特性的影响
来源期刊：功能材料2012年第5期
论文作者：刘纯宝 王志光
文章页码：579 - 1167
关键词：光致发光谱;离子注入;缺陷;
摘 要：先用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用不同能量的C离子对薄膜进行注入,然后用荧光光谱分析了注入参数(注入能量、剂量)与发光特性改变的关联。研究发现,C离子注入能显著影响薄膜的发光特性,并且薄膜发光特性的改变强烈依赖于C离子的注入能量和注入剂量。对C离子注入SiO2薄膜引起发光特性改变的可能机理进行了简单讨论。
刘纯宝1,2，王志光2
1. 菏泽学院物理系2. 中国科学院近代物理研究所
摘 要：先用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用不同能量的C离子对薄膜进行注入,然后用荧光光谱分析了注入参数(注入能量、剂量)与发光特性改变的关联。研究发现,C离子注入能显著影响薄膜的发光特性,并且薄膜发光特性的改变强烈依赖于C离子的注入能量和注入剂量。对C离子注入SiO2薄膜引起发光特性改变的可能机理进行了简单讨论。
关键词：光致发光谱;离子注入;缺陷;
