CVD生长SiC涂层工艺过程的正交分析研究
来源期刊：兵器材料科学与工程2000年第5期
论文作者：李贺军 徐志淮
关键词：碳/碳复合材料; 碳化硅涂层; CVD; 正交设计;
摘 要：为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层,针对CVD工艺特点,采用正交设计方法对MTS+H2体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上,计算了6种工艺因素对SiC-CVD过程影响的方差,对各自影响的显著性进行了分析,并讨论了所属的21种工艺条件对沉积结果的影响.
李贺军1，徐志淮1
(1.西北工业大学C/C复合材料研究所)
摘要:为了在C/C材料表面可靠地制备SiC抗氧化涂层,针对CVD工艺特点,采用正交设计方法对MTS+H2体系制备SiC工艺过程进行了全面系统的研究,在对沉积过程现象进行观察分析的基础上,计算了6种工艺因素对SiC-CVD过程影响的方差,对各自影响的显著性进行了分析,并讨论了所属的21种工艺条件对沉积结果的影响.
关键词:碳/碳复合材料; 碳化硅涂层; CVD; 正交设计;
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