隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布

沈光地¹，崔碧峰¹，王智群¹，马楠¹，段天利¹，郭伟玲¹，张蕾¹

(1.北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022;
2.北京跟踪与通信技术研究所,100022)

摘要:针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合.稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度.沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快.芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心.

关键词:半导体激光器; 三维温度分布; 瞬态; 稳态; 隧道再生;

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