纳米-Al_2O_3颗粒对镍电结晶初期阶段的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2010年第1期
论文作者：崔航 郑子樵 谭澄宇 刘宇 胡炜
关键词：Ni-Al_2O_3薄膜; 电结晶成核; 共沉积; I-t; 曲线; Ni-Al_2O_3 film; electrocrystallization nucleation; co-deposition; I-t curve;
摘 要：利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)和电化学阻抗(EIS)研究了纳米Al_2O_3颗粒在不同电位(vs. SCE)下对Ni自硫酸盐镀液在铜基体上电沉积的影响.结果表明,Ni-Al_2O_3体系共沉积的起始电位为:-740 mV左右;在不同的电位下,纳米-Al_2O_3颗粒对镍沉积过程的影响有所差别;在电位-740~ -830 mV范围,与纯Ni沉积相比较,Ni-Al_2O_3体系沉积的峰电流所对应的孕育期tm明显缩短,反映Al_2O_3颗粒在阴极表面有利于镍沉积成核,且促进了电结晶成核.Al_2O_3颗粒吸附在阴极表面可能会阻碍部分离子电荷放电和物质传输过程,尤其在电位-250~ -650 mV范围,致使Ni-Al_2O_3体系沉积阻抗增加.在较高的过电位下,Al_2O_3颗粒的促进作用有所减弱,许多颗粒堆积在电极表面上还可能减小Ni-Al_2O_3沉积的还原反应电流.在电位-890 mV,Ni-Al_2O_3体系电沉积初期阶段的成核过程基本遵循三维的Scharifker-Hill瞬时成核模式.
崔航1，郑子樵1，谭澄宇1，刘宇1，胡炜1
(1.中南大学,湖南,长沙,410083)
摘要:利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)和电化学阻抗(EIS)研究了纳米Al_2O_3颗粒在不同电位(vs. SCE)下对Ni自硫酸盐镀液在铜基体上电沉积的影响.结果表明,Ni-Al_2O_3体系共沉积的起始电位为:-740 mV左右;在不同的电位下,纳米-Al_2O_3颗粒对镍沉积过程的影响有所差别;在电位-740~ -830 mV范围,与纯Ni沉积相比较,Ni-Al_2O_3体系沉积的峰电流所对应的孕育期tm明显缩短,反映Al_2O_3颗粒在阴极表面有利于镍沉积成核,且促进了电结晶成核.Al_2O_3颗粒吸附在阴极表面可能会阻碍部分离子电荷放电和物质传输过程,尤其在电位-250~ -650 mV范围,致使Ni-Al_2O_3体系沉积阻抗增加.在较高的过电位下,Al_2O_3颗粒的促进作用有所减弱,许多颗粒堆积在电极表面上还可能减小Ni-Al_2O_3沉积的还原反应电流.在电位-890 mV,Ni-Al_2O_3体系电沉积初期阶段的成核过程基本遵循三维的Scharifker-Hill瞬时成核模式.
关键词:Ni-Al_2O_3薄膜; 电结晶成核; 共沉积; I-t; 曲线; Ni-Al_2O_3 film; electrocrystallization nucleation; co-deposition; I-t curve;
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