射频磁控溅射制备p-Bi2Te3热电薄膜的电学性能研究
来源期刊：材料导报2009年增刊第1期
论文作者：程海峰 唐耿平 穆武第 陈朝晖
关键词：射频磁控溅射; p-Bi2Te3; 电导率; Seebeck系数; RF magnetron sputtering; p-Bi2 Te3; conductivity; Seebeck coefficient;
摘 要：通过射频磁控溅射并控制溅射时间在玻璃基底上沉积了不同厚度和成分的p型Bi2Te3薄膜.Bi2Te3薄膜主要以(221)晶面平行于基底进行生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构;退火后薄膜沿平面方向形成片状结构.薄膜的电导率和Seebeck系数受薄膜厚度和成分的影响,退火前受薄膜厚度的影响较大,退火后受薄膜成分和均匀性的影响较大,自掺杂Bi质量分数在5%左右时,薄膜功率因子约为760μW/(K2·m).
程海峰1，唐耿平1，穆武第1，陈朝晖1
(1.国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073)
摘要:通过射频磁控溅射并控制溅射时间在玻璃基底上沉积了不同厚度和成分的p型Bi2Te3薄膜.Bi2Te3薄膜主要以(221)晶面平行于基底进行生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构;退火后薄膜沿平面方向形成片状结构.薄膜的电导率和Seebeck系数受薄膜厚度和成分的影响,退火前受薄膜厚度的影响较大,退火后受薄膜成分和均匀性的影响较大,自掺杂Bi质量分数在5%左右时,薄膜功率因子约为760μW/(K2·m).
关键词:射频磁控溅射; p-Bi2Te3; 电导率; Seebeck系数; RF magnetron sputtering; p-Bi2 Te3; conductivity; Seebeck coefficient;
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