在金属薄膜衬底上定向生长碳纳米管
来源期刊:功能材料2010年第6期
论文作者:戴玮 朱宁
文章页码:1030 - 1033
关键词:碳纳米管;预处理;温度;等离子体增强化学气相沉积;定向生长;
摘 要:研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比。结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管。
戴玮,朱宁
天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室
摘 要:研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比。结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管。
关键词:碳纳米管;预处理;温度;等离子体增强化学气相沉积;定向生长;