半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟

罗衡¹，邓联文¹，易图林²，黄生祥¹，胡照文¹，周克省¹

1. 中南大学物理科学与技术学院粉末冶金国家重点实验室2. 空军雷达学院理学院

摘 要：半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。

关键词：半导体Si;载流子迁移率;玻耳兹曼方程;计算模拟;