P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究
来源期刊：粉末冶金技术2004年第6期
论文作者：赵大庆 姚为
关键词：P型半导体; 透明导电氧化物; 烧结; CuAlO2;
摘 要：性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件.本文以纳米级Al2O3粉体和微米级Cu2O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2.以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷,其迁移率达到27 cm2·V-1·s-1.以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为2.1 cm2·V-1·s-1的P型透明半导体薄膜.
赵大庆1，姚为1
(1.清华大学机械工程系,北京,100084)
摘要:性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件.本文以纳米级Al2O3粉体和微米级Cu2O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2.以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷,其迁移率达到27 cm2·V-1·s-1.以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为2.1 cm2·V-1·s-1的P型透明半导体薄膜.
关键词:P型半导体; 透明导电氧化物; 烧结; CuAlO2;
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