单层MoS2的电子结构及光学性质
来源期刊:稀有金属材料与工程2013年第12期
论文作者:雷天民 吴胜宝 张玉明 刘佳佳 郭辉 张志勇
文章页码:2477 - 2480
关键词:第一性原理;MoS2;电子结构;光学性质;
摘 要:基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98 105cm-1。分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景。
雷天民1,吴胜宝1,张玉明1,刘佳佳1,郭辉1,张志勇2
1. 西安电子科技大学2. 西北大学
摘 要:基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱。计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98 105cm-1。分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景。
关键词:第一性原理;MoS2;电子结构;光学性质;