CuO/SiO2复合薄膜的微观结构和发光特性分析
来源期刊：无机材料学报2009年第2期
论文作者：孙钦军 李玉国 石锋
关键词：射频磁控共溅射法; CuO/SiO2复合薄膜; 微观结构; 光致发光特性;
摘 要：采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2 复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
孙钦军1，李玉国1，石锋1
(1.山东师范大学,物理与电子科学学院,济南,250014)
摘要:采用射频磁控共溅射法在硅衬底上沉积Cu/SiO2 复合薄膜,然后在N2保护下高温退火,再于空气中自然冷却氧化,制备出低维CuO纳米结构,并对其微观结构和光致发光进行研究.退火温度为1100℃时样品中主晶相为立方晶系的CuO(200)晶面,薄膜样品表面出现纳米线状结构,表面组分主要包括Cu、O元素,冷却氧化形成CuO/SiO2复合薄膜.该温度下退火后,光致发光谱中出现紫外光和紫光,这是由于复合薄膜中CuO的导带底到Cu空穴缺陷能级的跃迁导致的.
关键词:射频磁控共溅射法; CuO/SiO2复合薄膜; 微观结构; 光致发光特性;
【全文内容正在添加中】
