SiO2/Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯
来源期刊：材料热处理学报2016年第1期
论文作者：陈彩云 于晓华 戴丹 江南 詹肇麟 刘忠 刘建雄
文章页码：205 - 208
关键词：石墨烯;SiO2/Si;镍膜;热化学气相沉积;
摘 要：采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。
陈彩云1,2，于晓华1，戴丹2，江南2，詹肇麟1，刘忠1，刘建雄1
1. 昆明理工大学材料科学与工程学院2. 中国科学院宁波工业技术研究院
摘 要：采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。
关键词：石墨烯;SiO2/Si;镍膜;热化学气相沉积;
