压电位移材料电场E3和应变S1的关系

来源期刊：兵器材料科学与工程2001年第3期

论文作者：孙清池 徐庭献 左孝杰 王裕斌

关键词：压电应变系数D31; 退极化电场Ed; 矫顽电场Ec; 饱和电场Es; 电滞回线;

摘    要：研究了软性铌锑-锆钛酸铝Pb(Sb1/2 Nb1/2)ZrTiO3(简称SN)系及硬性锑锰-锆钛酸铅Pb(Mn1/3 Sb2/3)ZrTiO3(简称MS)系压电陶瓷电场E3和应变S1的关系.压电方程为S1=d31 E3,在弱电场下为线性关系.随着电场增加,压电应变系数d31变大,从而不再是常数.当电场E3增大到某一值时d31有极大值,我们称此电场为饱和电场Es.软性SN三元系压电陶瓷的退极化电场Ed为12.7kV/cm,小于它的矫顽场Ec(13.6kV/cm)以及d31极大值(-457pC/N)时的饱和电场Es(14kV/cm).而硬性MS三元系压电陶瓷的退极化电场Ed和d31极大值(-202pC/N)时的饱和电场Es相等,均为24kV/cm,大于它的矫顽电场Ec(18.6kV/cm).软性SN三元系压电陶瓷在较低的电场下就可产生很大的应变.而硬性MS三元系压电陶瓷可以施加很大的反向电场.