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纳米ZnO薄膜掺磷、硼的电学性能研究

来源期刊：理化检验物理分册2003年第1期

论文作者：高军陈晓伟赵金茹宋淑芳韩晓英王文青

关键词：俄歇分析; 纳米ZnO薄膜; 电学性质;

摘要：用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响.结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为850℃和800℃.

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高军¹，陈晓伟²，赵金茹²，宋淑芳³，韩晓英²，王文青²

(1.包头蓝亚光电科技有限公司,包头,014031;
2.中国兵器工业第五二研究所,包头,014034;
3.中国科学院半导体研究所,北京,100083)

摘要:用扫描俄歇探针研究了掺杂磷、硼对纳米ZnO薄膜电学性能的影响.结果表明,ZnO薄膜掺入磷或硼后,可以显著降低薄膜电阻;改变扩散温度可以改变磷、硼浓度,从而改变Zn/O化学计量比,Zn/O化学计量比越大,薄膜电阻越小;掺磷或硼的ZnO薄层电阻最低值时的扩散温度分别为850℃和800℃.

关键词:俄歇分析; 纳米ZnO薄膜; 电学性质;

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