Sb掺杂ZnO纳米线的制备与光电性能研究
来源期刊：功能材料2020年第5期
论文作者：苏明明 张唐磊 丁宝玉 沈杰 张翔晖
文章页码：5092 - 10198
关键词：Sb掺杂;ZnO纳米线;p型掺杂;光电性质;
摘 要：采用化学气相沉积法在蓝宝石（c-Al2O3）衬底上外延制备了不同含量的Sb掺杂氧化锌（ZnO）纳米线,并通过SEM,XRD,XPS,PL以及霍尔效应仪等测试手段对掺Sb后的ZnO纳米线进行了形貌、成分以及光电性能的表征。XPS测试结果表明,Sb原子成功的掺入到了ZnO纳米线晶格中。PL光谱分析显示,随着Sb掺杂含量的增加,纳米线的缺陷浓度增加,纳米线的结晶性变差。霍尔效应测试结果表明,在一定的掺杂含量范围（3%～4.5%）内,纳米线呈p型导电性。
苏明明，张唐磊，丁宝玉，沈杰，张翔晖
湖北大学物理与电子科学学院铁电压电材料与器件湖北省重点实验室
摘 要：采用化学气相沉积法在蓝宝石（c-Al2O3）衬底上外延制备了不同含量的Sb掺杂氧化锌（ZnO）纳米线,并通过SEM,XRD,XPS,PL以及霍尔效应仪等测试手段对掺Sb后的ZnO纳米线进行了形貌、成分以及光电性能的表征。XPS测试结果表明,Sb原子成功的掺入到了ZnO纳米线晶格中。PL光谱分析显示,随着Sb掺杂含量的增加,纳米线的缺陷浓度增加,纳米线的结晶性变差。霍尔效应测试结果表明,在一定的掺杂含量范围（3%～4.5%）内,纳米线呈p型导电性。
关键词：Sb掺杂;ZnO纳米线;p型掺杂;光电性质;
