新型低压超结功率VDMOS器件数值模拟
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第5期
论文作者：蔡小五 陆江 海潮和 王立新
关键词：VDMOS; 超结; 击穿电压; 导通电阻;
摘 要：由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
蔡小五1，陆江1，海潮和1，王立新1
(1.中国科学院微电子研究所,北京,100029)
摘要:由于"Silicon Limit"的限制,VDMOS的导通电阻不能很大程度的降低,为了突破这一极限,超结VDMOS结构被采用,本文采用氮化硅硬掩模和高能硼注入在n型外延层中形成交替的p型区从而形成超结结构.利用ISE-TCAD模拟器进行工艺器件模拟,模拟结果表明击穿电压最大有40%的提高,同时导通电阻也有明显的降低.采用高能注入形成超结VDMOS为减小VDMOS导通电阻提供了一种切实有效的方法.
关键词:VDMOS; 超结; 击穿电压; 导通电阻;
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