吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上电化学行为的研究

来源期刊：分析试验室2009年第12期

论文作者：马啸华 徐茂田 孔粉英

文章页码：14 - 17

关键词：单壁碳纳米管;修饰电极;吡硫醇;电化学;

摘    要：研究了吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为,提出了一种检测吡硫醇的电化学方法。在0.1 mol/L的NaAc-HAc（pH 4.0）缓冲溶液中,吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上出现一灵敏的氧化峰,峰电位位于0.94 V处。与裸玻碳电极相比,单壁碳纳米管修饰电极显著提高了吡硫醇的氧化峰电流。在最佳实验条件下,吡硫醇浓度在9.9×10-6～5.7×10-4mol/L范围内与峰电流呈良好的线性关系,检出限为2.98×10-7mol/L。吡硫醇在单壁碳纳米管修饰电极上的氧化过程受吸附控制,为1电子2质子的过程。