高温热蒸发法在金刚石表面镀覆SiO₂的形貌与形成机理

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2016年第4期

论文作者：梁宝岩 张艳丽 张旺玺 王艳芝 王俊和 闫帅帅 穆云超

文章页码：522 - 526

关键词：热蒸发法;金刚石;氧化硅;涂层;形貌;生长机制;

摘    要：采用高温热蒸发法在金刚石表面镀覆SiO₂,用扫描电镜（SEM）、X线衍射（XRD）和能谱分析对SiO₂的形貌与物相组成进行观察与分析,研究SiO₂晶体的生长机制。结果表明,在较低温度下（1 300℃）金刚石表面生成SiC和SiO₂颗粒,无法形成涂层。温度升高到1 400℃时,金刚石表面形成许多由C,Si,O元素组成的细小蝌蚪状组织。当温度升高到1 500℃时,金刚石表面镀覆良好的Si-O涂层,Si-O涂层上有许多SiO₂晶粒、微米棒与晶须。SiO₂晶体的生长机制为:首先在金刚石表面沉积一层Si-O涂层,然后在该涂层上析出SiO₂颗粒,在SiO₂颗粒上进一步形成新的SiO₂颗粒和晶须。