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溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响

来源期刊:功能材料与器件学报2011年第6期

论文作者:陆峰 徐成海

文章页码:586 - 590

关键词:ZAO薄膜;直流反应溅射;溅射功率;靶基距;

摘    要:采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80%,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求。

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溅射功率和靶基距对ZAO薄膜性能影响

陆峰1,徐成海2

1. 沈阳建筑大学交通与机械工程学院2. 东北大学机械工程与自动化学院

摘 要:采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80%,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求。

关键词:ZAO薄膜;直流反应溅射;溅射功率;靶基距;

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