室温工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm多量子阱脊波导半导体激光器
来源期刊：稀有金属2004年第3期
论文作者：张永刚 徐刚毅 李爱珍 张雄 齐鸣 郑燕兰
关键词：半导体激光器; 分子束外延;
摘 要：报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
张永刚1，徐刚毅1，李爱珍1，张雄1，齐鸣1，郑燕兰1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050)
摘要:报道了可在室温下脉冲工作的AlGaAsSb/InGaAsSb 2 μm 多量子阱脊波导半导体激光器.器件材料生长采用固态源分子束外延的方法,器件有源层采用应变补偿量子阱结构,激光器结构中引入了加宽波导的设计.制备的多量子阱激光器最高工作温度可达60 ℃,激射波长2.08 μm.室温下阈值电流为350 mA,20～50 ℃范围内特征温度为88 K.
关键词:半导体激光器; 分子束外延;
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