水平温梯冷凝法生长ZnGeP2单晶
来源期刊：功能材料2010年第S1期
论文作者：吴海信 陈林 王振友 黄飞 倪友保 毛明生
文章页码：152 - 312
关键词：磷锗锌;水平温梯冷凝法;X射线粉末衍射;红外透过率;热导率;
摘 要：采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
吴海信，陈林，王振友，黄飞，倪友保，毛明生
中国科学院安徽光学精密机械研究所
摘 要：采用高纯(6mol/L)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.2%配料,通过双温区法合成ZnGeP2多晶粉料,再用水平温梯冷凝法(HGF)生长出尺寸达10mm×20mm×80mm的单晶棒。对单晶进行了X射线衍射、红外透过率、热导率等测试,测试结果表明;单晶完整性好,红外透过率较高;5mm厚晶片(未退火、镀膜)在2～8μm范围内平均透过率可达54%以上;在室温附近(297.34K)热导率为35.89W/(m.K)。
关键词：磷锗锌;水平温梯冷凝法;X射线粉末衍射;红外透过率;热导率;
