碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子
来源期刊：材料导报2014年第8期
论文作者：郭凌雁 焦晨旭 冯鹏青 戴虹
文章页码：49 - 52
关键词：碳糊电极;碳化硅;汞(Ⅱ);循环伏安法;
摘 要：制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为。结果表明,以100mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-71.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性。
郭凌雁，焦晨旭，冯鹏青，戴虹
中北大学理学院
摘 要：制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为。结果表明,以100mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-71.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性。
关键词：碳糊电极;碳化硅;汞(Ⅱ);循环伏安法;
