中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2015年第3期

论文作者：陈佳林 黎明 王诗尧 邵剑雄 谈效华 金大志 向伟 崔莹 陈熙萌

文章页码：660 - 664

关键词：中低能质子;金属氘化物;二次电子发射系数;

摘    要：测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数。结果表明,20 n A/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子Λ较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数。束流密度为7μA/cm2的100 ke V质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子Λ在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值。