非易失性阻变存储器研究进展
来源期刊：稀有金属2012年第3期
论文作者：赵鸿滨 屠海令 杜军
文章页码：491 - 500
关键词：非易失性存储器;电阻转变;阻变机制;
摘 要：随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。
赵鸿滨1，屠海令1,2，杜军1,2
1. 北京有色金属研究总院先进电子材料研究所2. 北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心
摘 要：随着器件特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,传统的基于电荷存储的非易失性FLASH存储器将面临物理与技术的极限。新型的阻变存储器具有高速读写、存储密度高、能耗低等优点引起了微电子产业界广泛关注。介绍了阻变存储器的阻变行为,综述了目前研究的存储机制、性能及其改善方法、材料体系、器件结构,并展望了阻变存储器的应用前景。
关键词：非易失性存储器;电阻转变;阻变机制;
