射频磁控溅射法制备Ti掺杂ITO薄膜的厚度对膜结构与光电性能的影响

马春红^1,2，李士娜¹，马瑞新^1,3，朱鸿民¹

1. 北京科技大学冶金与生态工程学院2. 稀有金属特种材料国家重点实验室3. 高端金属材料特种熔炼与制备北京市重点实验室

摘 要：利用Ti掺杂ITO靶材,采用单靶磁控溅射法在玻璃基底上制备厚度为50³00 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、可见光分光光度计、霍尔测试系统和四探针电阻测量仪,研究薄膜厚度对薄膜的晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:ITO:Ti薄膜呈现（400）择优取向,随薄膜厚度增加,薄膜的结晶程度增强,晶粒度增大,薄膜更致密。随薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及电阻率都先减小再增加,薄膜厚度为250 nm时,表面粗糙度最小,蒋膜厚度为200 nm时,电阻率最低,为2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜对可见光区的平均透过率都在89%以上。

关键词：射频磁控溅射;半导体;ITO:Ti薄膜;薄膜厚度;光电性能;