失配位错对Cu/Ni多层膜力学性能的影响
来源期刊：功能材料2005年第6期
论文作者：严志军 严立 程东
关键词：多层膜; 失配位错; 分子动力学; 纳米压痕;
摘 要：通过对Cu/Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响.结果表明,失配位错网对滑移位错的阻碍作用使Cu/Ni多层膜得以强化,并且这种强化作用依赖于多层膜的调制波长(相邻两膜层的厚度之和).当调制波长大于临界值λc时,失配位错的应力场随膜层厚度变化不大;当调制波长小于临界值λc时,失配位错的运动导致了界面处的应力集中,从而使多层膜的力学性能下降.为了优化多层膜的力学性能,临界调制波长要大于在单膜层内产生位错的深度.
严志军1，严立2，程东1
(1.大连海事大学,轮机工程学院,辽宁,大连,116026;
2.大连海事大学,金属工艺研究所,辽宁,大连,116026)
摘要:通过对Cu/Ni多层膜纳米压痕过程的二维分子动力学模拟,研究了失配位错对多层膜力学性能的影响.结果表明,失配位错网对滑移位错的阻碍作用使Cu/Ni多层膜得以强化,并且这种强化作用依赖于多层膜的调制波长(相邻两膜层的厚度之和).当调制波长大于临界值λc时,失配位错的应力场随膜层厚度变化不大;当调制波长小于临界值λc时,失配位错的运动导致了界面处的应力集中,从而使多层膜的力学性能下降.为了优化多层膜的力学性能,临界调制波长要大于在单膜层内产生位错的深度.
关键词:多层膜; 失配位错; 分子动力学; 纳米压痕;
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