GaAsHBT直接耦合微波单片集成电路
来源期刊：功能材料与器件学报2000年第3期
论文作者：徐晓春 曾庆明 刘伟吉 赵永林 王全树 敖金平 郭建魁 揭俊锋 李献杰
关键词：GaAs; HBT; 微波单片集成电路;
摘 要：叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
徐晓春1，曾庆明1，刘伟吉1，赵永林1，王全树1，敖金平1，郭建魁1，揭俊锋1，李献杰1
(1.信息产业部电子第十三研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄050051)
摘要:叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路,包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果.
关键词:GaAs; HBT; 微波单片集成电路;
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