氨化Si基Ga2O3/In制备GaN薄膜
来源期刊：功能材料2007年第2期
论文作者：孙丽丽 李红 庄惠照 薛成山 张晓凯 杨兆柱 艾玉杰 王福学
关键词：GaN; Ga2O3/In; 氨化; 磁控溅射;
摘 要：研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
孙丽丽1，李红1，庄惠照1，薛成山1，张晓凯1，杨兆柱1，艾玉杰1，王福学1
(1.山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014)
摘要:研究了Ga2O3/In 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
关键词:GaN; Ga2O3/In; 氨化; 磁控溅射;
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