三方圈一级加权处理法确定爱泼斯坦方圈等效磁路长度
来源期刊:磁性材料及器件2014年第2期
论文作者:李悦宁 李永刚 程志光 孔庆奕
文章页码:43 - 48
关键词:硅钢片;双爱泼斯坦方圈法;等效磁路长度;总比损耗;加权处理法;
摘 要:基于双爱泼斯坦方圈测量法,采用两组双爱泼斯坦方圈(即2E(25-20)和2E(20-17.5))磁性能测量装置,对30P120硅钢试片进行了双方圈测量实验,考察了等效磁路长度的影响因素。通过三维仿真模拟,证明了双爱泼斯坦方圈法的前提条件是相应的搭接位置磁密相等,在其基础上,提出一种加权处理法,对25cm爱泼斯坦方圈不同部位(其铁轭中段均匀区和角部搭接区以及两者之间的影响区)的总比损耗所确定的等效磁路长度进行加权处理,确定其实际有效的磁路长度,并与双方圈法进行比较分析。既排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性的影响,又考虑了方圈不同部位的总比损耗对等效磁路长度的影响。实验结果证实本文提出的方法可以正确地确定电工钢片的总比损耗。
李悦宁1,李永刚1,程志光2,孔庆奕3
1. 华北电力大学电气与电子工程学院2. 保定天威集团公司3. 河北工业大学电气工程学院
摘 要:基于双爱泼斯坦方圈测量法,采用两组双爱泼斯坦方圈(即2E(25-20)和2E(20-17.5))磁性能测量装置,对30P120硅钢试片进行了双方圈测量实验,考察了等效磁路长度的影响因素。通过三维仿真模拟,证明了双爱泼斯坦方圈法的前提条件是相应的搭接位置磁密相等,在其基础上,提出一种加权处理法,对25cm爱泼斯坦方圈不同部位(其铁轭中段均匀区和角部搭接区以及两者之间的影响区)的总比损耗所确定的等效磁路长度进行加权处理,确定其实际有效的磁路长度,并与双方圈法进行比较分析。既排除方圈角部双搭接结构区域被测试样磁性能不均匀性的影响,又考虑了方圈不同部位的总比损耗对等效磁路长度的影响。实验结果证实本文提出的方法可以正确地确定电工钢片的总比损耗。
关键词:硅钢片;双爱泼斯坦方圈法;等效磁路长度;总比损耗;加权处理法;