多晶黑硅的制备及其组织性能
来源期刊：工程科学学报2011年第5期
论文作者：刘邦武 夏洋 刘杰 李超波
文章页码：619 - 622
关键词：黑硅;等离子体浸没离子注入;组织;光吸收率;
摘 要：利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.
刘邦武，夏洋，刘杰，李超波
中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室
摘 要：利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.
关键词：黑硅;等离子体浸没离子注入;组织;光吸收率;
