Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较

来源期刊：功能材料与器件学报2010年第3期

论文作者：毕大炜 张正选 张帅

文章页码：271 - 275

关键词：SIMOX;SOI;总剂量辐射效应;Pseudo-MOS晶体管;

摘    要：本文用辐射加固和未加固的SIMOX（注氧隔离）SOI（绝缘体上硅）材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代nMOS晶体管对SOI材料的抗总剂量辐射能力进行评估。