OTFTs结构与器件性能
来源期刊：功能材料与器件学报2007年第1期
论文作者：马东阁 郭树旭 石家纬 全宝富 王伟 张宏梅 姜文海
关键词：有机薄膜场效应晶体管; 顶电极; 底电极; 迁移率;
摘 要：在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.
马东阁1，郭树旭2，石家纬2，全宝富2，王伟2，张宏梅2，姜文海2
(1.中国科学院长春应用化学研究所,高分子物理与化学国家重点实验室,长春,130022;
2.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012)
摘要:在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.
关键词:有机薄膜场效应晶体管; 顶电极; 底电极; 迁移率;
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