单晶硅化学蚀刻行为的研究
来源期刊：腐蚀科学与防护技术2007年第4期
论文作者：祝要民 赵胜利 文九巴 樊丽梅
关键词：单晶硅片; 化学蚀刻; 表面形貌;
摘 要：用HF+HNO3溶液蚀刻单晶硅表面,通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化,研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明,温度对蚀刻速率的影响较大,温度升高使表面蚀刻不均匀,厚度急剧减小;硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著;室温时用1.5 mol/L HF+HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm～15 μm)、分布均匀的多孔状表面.
祝要民1，赵胜利1，文九巴1，樊丽梅1
(1.河南科技大学,材料科学与工程学院,洛阳,471003)
摘要:用HF+HNO3溶液蚀刻单晶硅表面,通过扫描电镜表征其形貌和厚度变化,研究了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对单晶硅化学蚀刻行为的影响.结果表明,温度对蚀刻速率的影响较大,温度升高使表面蚀刻不均匀,厚度急剧减小;硅片的厚度及表面形貌在蚀刻液浓度大于2.0 mol/L时变化较显著;室温时用1.5 mol/L HF+HNO3蚀刻15 min获得了蚀坑大小适中(10 μm～15 μm)、分布均匀的多孔状表面.
关键词:单晶硅片; 化学蚀刻; 表面形貌;
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