原子层沉积生长速率的控制研究进展

卢维尔¹，董亚斌^1,2，李超波¹，夏洋¹，李楠¹

1. 中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室2. 中国科学院大学

摘 要：原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术,可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点,逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标——生长速率,不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用,更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果,以及ALD技术生长速率的影响因素,并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。

关键词：原子层沉积;生长速率;生长机制;位阻效应;