硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟Ⅱ.质量传递特性

来源期刊：材料研究学报2004年第2期

论文作者：彭岚 阮登芳 吴双应 李友荣

关键词：材料科学基础学科; 全局分析; 有限元方法; 硅Cz炉; 质量传递;

摘    要：使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟,研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性.结果表明:在小型硅Cz炉中,晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率;安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型,Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面,使晶体中氧浓度降低.