磁控溅射法制备TiN薄膜及其性能研究
来源期刊:材料保护2020年第9期
论文作者:张朋 苏晓磊 唐显琴 徐洁
文章页码:76 - 81
关键词:TiN薄膜;磁控溅射;氩氮流量比;耐腐蚀性能;
摘 要:为了研究Ar/N2流量比对Ti N薄膜耐蚀性的影响,采用反应直流磁控溅射法在304不锈钢上制备Ti N薄膜。研究了在溅射沉积过程中Ar/N2气体流量比对Ti N薄膜结构形貌和耐腐蚀性能的影响,并对结果进行了分析。结果表明:在保持其他工艺参数不变的情况下,增大N2流量制备Ti N薄膜,薄膜主要成分为Ti N,Ti2N和Ti N0.3;在高的Ar/N2条件下,即低的氮分压下,薄膜生长呈任意取向,在低的Ar/N2条件下,即高的氮分压下,薄膜(200)择优取向;氩氮流量比为50∶5时,电阻率最小,为0.002Ω·m,薄膜具有良好的导电性;当氩氮流量比为50∶5时,Ti N表面平整,呈现细小颗粒状,并且通过盐雾腐蚀试验可知,此时Ti N薄膜的耐腐蚀性能最好。
张朋,苏晓磊,唐显琴,徐洁
西安工程大学材料工程学院
摘 要:为了研究Ar/N2流量比对Ti N薄膜耐蚀性的影响,采用反应直流磁控溅射法在304不锈钢上制备Ti N薄膜。研究了在溅射沉积过程中Ar/N2气体流量比对Ti N薄膜结构形貌和耐腐蚀性能的影响,并对结果进行了分析。结果表明:在保持其他工艺参数不变的情况下,增大N2流量制备Ti N薄膜,薄膜主要成分为Ti N,Ti2N和Ti N0.3;在高的Ar/N2条件下,即低的氮分压下,薄膜生长呈任意取向,在低的Ar/N2条件下,即高的氮分压下,薄膜(200)择优取向;氩氮流量比为50∶5时,电阻率最小,为0.002Ω·m,薄膜具有良好的导电性;当氩氮流量比为50∶5时,Ti N表面平整,呈现细小颗粒状,并且通过盐雾腐蚀试验可知,此时Ti N薄膜的耐腐蚀性能最好。
关键词:TiN薄膜;磁控溅射;氩氮流量比;耐腐蚀性能;