脉冲激光沉积及硒化法制备Cu（In,Ga）Se₂薄膜研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2020年第8期

论文作者：王可 唐磊 陈桂林 叶颖 庄彬 陈水源 黄志高

文章页码：2888 - 2894

关键词：脉冲激光沉积;硒化;Cu（In,Ga）Se₂薄膜;工艺条件;光学特性;

摘    要：采用脉冲激光沉积和硒化后热处理的方法在石英衬底上制备Cu（In,Ga）Se₂（CIGS）薄膜,研究脉冲激光沉积（PLD）技术在制备CIGS薄膜太阳能电池材料上的应用,分析了不同预制层沉积顺序及厚度对CIGS薄膜组织结构、表面形貌、成分以及光学性能的影响。结果表明:利用PLD技术及后硒化处理工艺,制得的CIGS太阳能电池吸收层具有纯相和高结晶度等特性;CuGa/In金属预制层的叠层顺序和叠层数、硒化退火温度对薄膜的结晶质量、晶粒尺寸、成分都具有重要影响,其中叠层顺序影响最为明显;样品均表现出对可见光区具有透射率低和吸收系数高的光学特性。本研究为制备性能优良的CIGS太阳能电池吸收层,提供了一个新颖的工艺手段。