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水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体

来源期刊:无机材料学报2008年第4期

论文作者:安百江 谈国强 苗鸿雁 魏艳想 李慧勤

关键词:Zn1-xCrxO; 稀磁半导体; 水热法; 顺磁性;

摘    要:采用水热法,以3mol/L NaOH作为矿化剂,在260°C下,保温28h进行Cr合金化(x=0.10,0.15,0.20,0.25),合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体.研究了Cr合金化对水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体粉体结构和性能的影响.XRD测试表明,Cr元素进入到ZnO的晶格内,实现了Cr的合金化,晶粒尺寸分别为46.5、46.1、50.6和48.9nm.从FE-SEM可以观察列,x≥0.2时,晶体的形貌从短柱状转变为长柱状.通过UV/Vis测试可以观察到Cr离子的吸收峰, ZnO的禁带宽度依次降低为3.17、3.18、3.19和3.23eV.VSM测试表明,所制备的Zn1-xCrxO纳米晶体在室温下均表现出弱顺磁性.

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水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体

安百江1,谈国强2,苗鸿雁2,魏艳想2,李慧勤2

(1.陕西宝光集团股份有限公司,宝鸡,721304;
2.陕西科技大学材料科学与工程学院,西安,710021)

摘要:采用水热法,以3mol/L NaOH作为矿化剂,在260°C下,保温28h进行Cr合金化(x=0.10,0.15,0.20,0.25),合成Zn1-xCrxO稀磁半导体晶体.研究了Cr合金化对水热合成Zn1-xCrxO稀磁半导体粉体结构和性能的影响.XRD测试表明,Cr元素进入到ZnO的晶格内,实现了Cr的合金化,晶粒尺寸分别为46.5、46.1、50.6和48.9nm.从FE-SEM可以观察列,x≥0.2时,晶体的形貌从短柱状转变为长柱状.通过UV/Vis测试可以观察到Cr离子的吸收峰, ZnO的禁带宽度依次降低为3.17、3.18、3.19和3.23eV.VSM测试表明,所制备的Zn1-xCrxO纳米晶体在室温下均表现出弱顺磁性.

关键词:Zn1-xCrxO; 稀磁半导体; 水热法; 顺磁性;

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