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Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响

来源期刊:稀有金属材料与工程2009年增刊第2期

论文作者:卢振亚 李宇翔 张兆生

关键词:Er_2O_3掺杂; ZnO压敏电阻; 高电位梯度; 耐电流冲击特性; Er_2O_3 doping; ZnO varistor; high breakdown voltage; withstanding surge current;

摘    要:研究了Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er_2O_3不仅可以提高压敏电压V1mA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性.但过量的Er_2O_3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣化.微观结构和XRD图谱分析表明,Er_2O_3以一种化合物的形式存在于晶界,阻碍了晶界的运动,使材料烧结后具有较小的晶粒尺寸,并且粒径分布比较均匀.当Er_2O_3的添加量为0.8 mol%时,样品的压敏电压V1mA约为360 V/mm,非线性系数α达到86,并且在8/20 μs的耐大电流冲击能力的试验中,样品耐受冲击电流的峰值大于1.6 kA/cm~2.

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Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响

卢振亚1,李宇翔1,张兆生1

(1.华南理工大学,广东,广州,510640)

摘要:研究了Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er_2O_3不仅可以提高压敏电压V1mA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性.但过量的Er_2O_3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣化.微观结构和XRD图谱分析表明,Er_2O_3以一种化合物的形式存在于晶界,阻碍了晶界的运动,使材料烧结后具有较小的晶粒尺寸,并且粒径分布比较均匀.当Er_2O_3的添加量为0.8 mol%时,样品的压敏电压V1mA约为360 V/mm,非线性系数α达到86,并且在8/20 μs的耐大电流冲击能力的试验中,样品耐受冲击电流的峰值大于1.6 kA/cm~2.

关键词:Er_2O_3掺杂; ZnO压敏电阻; 高电位梯度; 耐电流冲击特性; Er_2O_3 doping; ZnO varistor; high breakdown voltage; withstanding surge current;

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