耗尽层的时域介电谱
来源期刊:无机材料学报1999年第3期
论文作者:陈敏 李景德 孙少锋
关键词:时域介电谱; 耗尽层; 二氧化硅; 硅单晶;
摘 要:从金属-半导体-绝缘体-金属(MSIM)层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因. 对于这种结构, 用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息.
陈敏1,李景德1,孙少锋1
(1.中山大学物理系,广州,510275)
摘要:从金属-半导体-绝缘体-金属(MSIM)层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因. 对于这种结构, 用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息.
关键词:时域介电谱; 耗尽层; 二氧化硅; 硅单晶;
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